H11G1M中文资料6 引脚 DIP 高电压光电达林顿输出光耦合器数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

H11G1M 和 H11G2M 是光达灵顿型光耦合光电耦合器。 此类器件包含与连接至光电晶体管的硅达林顿晶体管耦合的砷化镓红外线发光二极管，该二极管具有集成的基极-发射极电阻以优化高温特性。

特性 Features

• 高 BVCEO:
• H11G1M 最低值 100 V
• H11G2M 最低值 80 V
• 对于低输入电流的高敏感度（IF = 1 mA 时，最小 500% CTR）
• 高温时低漏电流（80°C 时，最大 100µA）
• 安全和法规认证：
• UL1577，4170 VACRMS（1 分钟）
• DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压

应用 Application

• 消费型设备
• 工业级电机