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H11F3VM数据手册隔离器的光隔离器-晶体管光电输出规格书PDF

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厂商型号

H11F3VM

参数属性

H11F3VM 封装/外壳为6-DIP(0.300",7.62mm);包装为管件;类别为隔离器的光隔离器-晶体管光电输出;产品描述:OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

功能描述

MOSFET输出光电耦合器 FET Bilateral analog
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

封装外壳

6-DIP(0.300",7.62mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:41:00

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H11F3VM规格书详情

简介

H11F3VM属于隔离器的光隔离器-晶体管光电输出。由制造生产的H11F3VM光隔离器 - 晶体管,光电输出晶体管或光电输出光隔离器通常出于安全或功能性原因,使用光来跨过电绝缘层进行信息传输。与其他光隔离器类型的区别在于,它们使用简单的光电晶体管或光伏电池(太阳能电池)作为输出设备。这些器件的输出不需要外部电源即可运行,并且具有模拟特性,因此可用于在无法实现电连接的电路之间传输模拟信息。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    H11F3VM

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    隔离器 > 光隔离器 - 晶体管,光电输出

  • 包装:

    管件

  • 电压 - 隔离:

    7500Vpk

  • 接通 / 关断时间(典型值):

    45µs,45µs(最大)

  • 输入类型:

    DC

  • 输出类型:

    MOSFET

  • 电压 - 输出(最大值):

    15V

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.3V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 100°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    6-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    6-DIP

  • 描述:

    OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
QT
24+
DIP6p
6980
原装现货,可开13%税票
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onsemi(安森美)
2021+
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