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H11G1SVM

6-Pin DIP High Voltage Photodarlington Optocouplers

文件:397.93 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

H11G1TVM

6-Pin DIP High Voltage Photodarlington Optocouplers

文件:397.93 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

H11G1VM

6-Pin DIP High Voltage Photodarlington Optocouplers

文件:397.93 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

H11G1X

HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED

文件:76.73 Kbytes 页数:3 Pages

ISOCOM

英国安数光

H11G1M

6 引脚 DIP 高电压光电达林顿输出光耦合器

H11G1M 和 H11G2M 是光达灵顿型光耦合光电耦合器。 此类器件包含与连接至光电晶体管的硅达林顿晶体管耦合的砷化镓红外线发光二极管,该二极管具有集成的基极-发射极电阻以优化高温特性。 • 高 BVCEO:\n• H11G1M 最低值 100 V\n• H11G2M 最低值 80 V\n• 对于低输入电流的高敏感度(IF = 1 mA 时,最小 500% CTR)\n• 高温时低漏电流(80°C 时,最大 100µA)\n• 安全和法规认证:\n• UL1577,4170 VACRMS(1 分钟)\n• DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压;

ONSEMI

安森美半导体

H11G1X

HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR

ISOCOM

英国安数光

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channels:

    1

  • CTR (Min) (%):

    500

  • CTR tested @ IF (mA):

    1

  • VCE(sat) (Max) (V):

    1

  • BVCEO (Min) (V):

    100

  • BVCBO (Min) (V):

    100

  • BVECO (Min) (V):

    7

  • ton (Max) (µs):

    5

  • toff (Max) (µs):

    100

  • VISO (Min) (V):

    5300

  • TOPR (Min) (°C):

    -40

  • TOPR (Max) (°C):

    100

  • Package Type:

    PDIP-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
25+
DIP6
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ONSEMI/安森美全新特价H11G1即刻询购立享优惠#长期有货
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更多H11G1供应商 更新时间2026-4-21 20:36:00