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HZS11A1	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZU11A1L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
RKZ11A1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
XBR11A1-G	文件：286.97 Kbytes Page：6 Pages	Single-PhaseBridgeRectifier	TOREXTOREX SEMICONDUCTOR LTD. 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社

详细参数

型号：
H11A1M
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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