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DTC343TK	文件：63.14 Kbytes Page：3 Pages	丝印：H03；Package：SOT-346；Digital transistors (built-in resistor) 文件：63.14 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
H03N100T	文件：698.56 Kbytes Page：7 Pages	1000V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：698.56 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
H03N150T	文件：609.76 Kbytes Page：7 Pages	1500V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：609.76 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
H03N150W	文件：615.5 Kbytes Page：7 Pages	1500V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：615.5 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
H03N60	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient de 文件：59.56 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient de 文件：59.56 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient de 文件：59.56 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H0303XM	文件：603.76 Kbytes Page：4 Pages	1W,Isolated 6000VDC Unregulated Single&Dual Output DC/DC Converters 文件：603.76 Kbytes 页数：4 Pages	MICRODC 泰辰电气	MICRODC
H0303XS	文件：605.7 Kbytes Page：4 Pages	1W,Isolated 6000VDC Unregulated Single&Dual Output DC/DC Converters 文件：605.7 Kbytes 页数：4 Pages	MICRODC 泰辰电气	MICRODC
H0303XS-1W	文件：857.45 Kbytes Page：4 Pages	Isolated 1W Single&Dual Output DC/DC Converters 文件：857.45 Kbytes 页数：4 Pages	MICRODC 泰辰电气	MICRODC

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技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-346
JEITA Package：
SC-59
Package Size[mm]：
2.9x2.8 (t=1.1)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
15.0
Collector current Io (Ic) [A]：
0.6
Input resistance R1 1 [kΩ]：
4.7
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
15.0
Collector current Io(Ic) [A]：
0.6
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多H03供应商更新时间2026-3-18 18:26:00

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