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H03N60	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕
H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕
03N60	文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AIHD03N60RF	文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
CJP03N60	文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
FMC03N60E	文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMC03N60E	文件：332.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMP03N60E	文件：571.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMP03N60E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FMV03N60E	文件：532.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
ILD03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
H03N60
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

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更多H03N60供应商更新时间2024-4-19 11:36:00

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