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H02N60SF	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：77.67 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H02N60SF	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage MOSFET	HSMC 华昕	HSMC
H02N60SI	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：77.67 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H02N60SJ	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：77.67 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
M02N60	文件：169.16 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：169.16 Kbytes 页数：5 Pages	STANSON 司坦森	STANSON

技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
600
ID(A)：
2
VGS(V)：
±30
RDS(on)Max.(ohm)：
5
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
1
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H02N60SF供应商更新时间2025-10-7 14:02:00

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