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STGW35HF60W

丝印:GW35HF60W;Package:TO-247;35 A, 600 V Ultrafast IGBT

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意法半导体

STGW35HF60WDI

丝印:GW35HF60WDI;Package:TO-247;35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Description This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix W denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz). Features ■ Improved Eo

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意法半导体

GW35HF60W

35 A, 600 V Ultrafast IGBT

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GW35HF60WDA

35 A, 600 V ultra fast IGBT

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GW35HF60WDB

35 A, 600 V ultra fast IGBT

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GW35HF60WDC

35 A, 600 V ultra fast IGBT

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详细参数

  • 型号:

    GW35HF60W

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 Ultra Fast IGBT 35A 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多GW35HF60W供应商 更新时间2025-8-13 8:31:00