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STGWT40V60DF

丝印:GWT40V60DF;Package:TO-3P;Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

文件:1.83352 Mbytes 页数:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    GWT40V60DF

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 配置:

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.35 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    80 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    250 nA

  • 功率耗散:

    283 W

  • 最大工作温度:

    + 175 C

  • 封装/箱体:

    TO-3P

  • 封装:

    Tube

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