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STGW40H65DFB	文件：503.29 Kbytes Page：16 Pages	丝印：GW40H65DFB；Package：TO-247；Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • High speed switching series • Minimized tail current • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance 文件：503.29 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多GW40H65DFB供应商更新时间2025-8-13 23:01:00