首页 >丝印反查>GW60H65DRF

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

STGW60H65DRF

丝印:GW60H65DRF;Package:TO-247;60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

文件:2.06606 Mbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    GW60H65DRF

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法半导体
22+
TO-247
6001
原装正品现货 可开增值税发票
询价
ST/意法
21+
TO247
60000
绝对原装正品现货,假一罚十
询价
ST全系列
25+23+
TO-247
26677
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ST
1926+
TO-247
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
ST/意法
21+
TO247
2000
优势供应 实单必成 可开增值税13点
询价
STM
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
ST
24+
原厂正品
9240
原装现货 假一赔百
询价
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ST
21+
TO-247
10000
全新原装 公司现货 价格优
询价
更多GW60H65DRF供应商 更新时间2025-8-13 8:31:00