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GT800N10D3	文件：676.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT800N10；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT800N10D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：676.58 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT800N10D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT813	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN48	GOODIX 汇顶科技上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	GOODIX
GT911	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	GOODIX 汇顶科技上传：深圳市联世界科技有限公司	GOODIX
GTJ48-100A	文件：0 bytes Page：0 Pages	继电器	THE 上传：深圳市正沃电子有限公司	THE

技术参数

Package：
DFN3*3-8L
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
100
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
7.5
Pd(W)：
19
Vgs(th)max(V)：
2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
61
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
77
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
80
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
90
Qg(nC)：
5
Qgs(nC)：
2
Qgd(nC)：
1
Ciss(pF)：
205
Crss(pF)：
1
Technology：
SGT

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更多GT800N10D3供应商更新时间2026-1-31 11:06:00

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