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GT800N10D3数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

GT800N10D3

功能描述

100V N Channel SGT MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-16 18:19:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT800N10D3

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :DFN3*3-8L

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :100

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :7.5

  • Pd(W)

    :19

  • Vgs(th)max(V)

    :2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :61

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :77

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :80

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :90

  • Qg(nC)

    :5

  • Qgs(nC)

    :2

  • Qgd(nC)

    :1

  • Ciss(pF)

    :205

  • Crss(pF)

    :1

  • Technology

    :SGT

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