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60N321	文件：173.5 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancement-mode •HighspeedIGBT:tf=0.25µs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8µs(typ.)(di/dt=−20A/µs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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GT60N321	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT60N321	文件：363.33 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	GT60N321其他被动元件	TOSHIBA/东芝	23+	TO-3PL	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
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深圳市科芯源微电子有限公司	GT60N321其他被动元件	TOSHIBA/东芝	24+	TO3PL	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
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更多GT60N321其他被动元件供应商更新时间2024-6-11 16:08:00

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