60N321中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	60N321
功能描述	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
文件大小	173.5 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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更新时间	2026-2-8 22:55:00
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High Power Switching Applications

The 4th Generation

• FRD included between emitter and collector

• Enhancement-mode

• High speed IGBT : tf = 0.25 µs (typ.) (IC = 60 A)

FRD : trr = 0.8 µs (typ.) (di/dt = −20 A/µs)

• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)

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