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|---|---|---|---|---|
GT52N10T | 丝印：GT52N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：990.5 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
GT52N10T | 100V N Channel SGT MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.87 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- Package：
TO-220
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
100
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
70
- Pd(W)：
100
- Vgs(th)max(V)：
3
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
6
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
10
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
9
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
15
- Qg(nC)：
35
- Qgs(nC)：
8
- Qgd(nC)：
5
- Ciss(pF)：
2273
- Crss(pF)：
21
- Technology：
SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GOFORD(谷峰) |
2447 |
TO-220 |
105000 |
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GOFORD |
21+ |
N/A |
2500 |
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GOFORD |
2 |
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2020+ |
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22+ |
NA |
100 |
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HIROSE |
21+ |
标准封装 |
478 |
保证原装正品,需要请联系张小姐13544103396 |
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HRS/广濑 |
23+ |
NA/原装 |
9390 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
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HRS |
连接器 |
123500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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HRS/广濑 |
2407+ |
30098 |
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