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GT095N10S	文件：1.20733 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT095N10；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.20733 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10S	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10K	文件：714.28 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：714.28 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10KA	文件：1.042609 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.042609 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10KA	文件：1.042609 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.042609 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
100V
Id at 25℃(max)：
21A
PD(max)：
8W
Vgs(th)typ(V)：
2V
RDS(on)(typ)(@10V)：
8.2mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
11.3mΩ
Qg(nC)：
29.4
Ciss：
2131
Crss：
21

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