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GT095N10K	文件：714.28 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT095N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：714.28 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10KA	文件：1.042609 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT095N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.042609 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10KA	文件：1.042609 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT095N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.042609 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10K	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT095N10KA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Power MOSFETs find widespread use across various applications due to their low ON resistance, making them particularly appealing. By minimizing power dissipation, they contribute to cost reduction, smaller form factors, and less cooling requirements, resulting in significant enhancements for electro	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
100V
Id at 25℃(max)：
73A
PD(max)：
104W
Vgs(th)typ(V)：
2.1V
RDS(on)(typ)(@10V)：
8.6mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
13mΩ
Qg(nC)：
29
Ciss：
2275
Crss：
7.9

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更多GT095N10K供应商更新时间2026-2-4 9:06:00

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