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GT045N10T

丝印:GT045N10;Package:TO-220;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT045N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

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GOFORD

谷峰半导体

HY045N10B

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.57985 Mbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY045N10MF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.86073 Mbytes 页数:9 Pages

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华羿微电

HY045N10P

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HUAYI

华羿微电

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更多GT045N10T供应商 更新时间2025-10-14 9:17:00