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|---|---|---|---|---|
GT055N06D5 | 丝印：GT055N06；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT055N06D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：769.23 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
GT055N06D5 | 60V N Channel SGT MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
MOSFET Power MOSFETs find widespread use across various applications due to their low ON resistance, making them particularly appealing. By minimizing power dissipation, they contribute to cost reduction, smaller form factors, and less cooling requirements, resulting in significant enhancements for electro | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
IGBT模块 | SILVERMICRO/银茂微 上传：深圳市芯纬度科技有限公司 | SILVERMICRO/银茂微 | ||
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技术参数
- Package：
DFN5*6-8L
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
60
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
90
- Pd(W)：
78
- Vgs(th)max(V)：
2.5
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
3.8
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
5.5
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
4.8
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
7
- Qg(nC)：
30
- Qgs(nC)：
4.5
- Qgd(nC)：
5
- Ciss(pF)：
2160
- Crss(pF)：
12
- Technology：
SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LG |
2022+ |
600 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
LG |
05+ |
600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
LG |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
LG |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
LG |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
LG |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
IDT |
16+ |
QFP |
4000 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
IDT |
25+ |
QFP |
6500 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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