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GT048N10T	文件：1.03131 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT048N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT048N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.03131 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT048N10TA	文件：1.28225 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT048N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT048N10TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.28225 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT048N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150HF120T1NH-SF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微

更多GT048N10T供应商更新时间2025-11-21 11:06:00