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GT048N10T	文件：1.03131 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT048N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT048N10Tusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT048N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet;	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT048N10TA	文件：1.28225 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT048N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT048N10TAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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GT048N10T

文件：1.03131 Mbytes

Page：6 Pages

丝印：GT048N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheGT048N10Tusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

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GT048N10T

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Page：1 Pages

Trench Mosfet;

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谷峰半导体

GOFORD

GT048N10TA

文件：1.28225 Mbytes

Page：6 Pages

丝印：GT048N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheGT048N10TAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

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技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS：
100V
Id at 25℃(max)：
110A
PD(max)：
150W
Vgs(th)typ(V)：
1.7V
RDS(on)(typ)(@10V)：
4.4mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
5.2mΩ49
Qg(nC)：
49
Ciss：
3220
Crss：
9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GT048N10T		24+	N/A	70000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市威雅利发展有限公司	GT051-18P-LSS-SB-NB-P100	N/A	04+	SMD	1000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多GT048N10T供应商更新时间2025-7-29 11:06:00

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