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HY045N10B

丝印:HY045N10;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.57985 Mbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY045N10B

Single N MOSFET(85V~125V)

Huayi

华羿微电

HY045N10MF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.86073 Mbytes 页数:9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY045N10P

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.57985 Mbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

KU045N10P

N-ch Trench MOS FET

General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, Synchronous Rectification and a load switch in battery powered applications FEATU

文件:2.54382 Mbytes 页数:7 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

技术参数

  • ID@TC=25℃(A):

    120

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    N/A

  • PD@TC=25℃ (W):

    221

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    2~4

  • Ciss Typ(pF):

    4452.2

  • Qg Typ(nC):

    67.5

  • Configuration:

    single-N

  • Package:

    TO-263-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HUAYI(华羿微)
2447
TO-263-2L
105000
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华羿微
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TO-263
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56000
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HY
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TO-220
6893
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TO-220FB-3L
20000
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HUAYI/华羿微
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TO-220FB-3L
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6500
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DIP
7500
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更多HY045N10B供应商 更新时间2026-1-17 11:01:00