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GT065P06D5	文件：887.66 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT065P06；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT065P06D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：887.66 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT065P06D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150HF120T1NH-SF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT-2220	文件：0 bytes Page：0 Pages	电源滤波器	TOKIN 上传：揭阳普宁铝壳电阻	TOKIN

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更多GT065P06D5供应商更新时间2026-2-4 11:06:00