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GT070N15TL	文件：1.11012 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT070N15；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT070N15TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.11012 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT070N15TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT070N15M	文件：962.97 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT070N15M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：962.97 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT070N15Q	文件：972.22 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT070N15Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：972.22 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT070N15T	文件：980.25 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT070N15T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：980.25 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TOLL-8L
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
150
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
200
Pd(W)：
430
Vgs(th)max(V)：
4
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
4.2
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
5
Qg(nC)：
89
Qgs(nC)：
29
Qgd(nC)：
17
Ciss(pF)：
5850
Crss(pF)：
18
Technology：
SGT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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