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GT023N10M	文件：950.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：950.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10M	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10Q	文件：924.7 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：924.7 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10T	文件：886.98 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：886.98 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10TA	文件：944 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：944 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
100V
Id at 25℃(max)：
226A
PD(max)：
500W
Vgs(th)typ(V)：
3.2V
RDS(on)(typ)(@10V)：
2.2mΩ
Qg(nC)：
121
Ciss：
8050
Crss：
349

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GT023N10M		24+	N/A	82000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	GT030PCM32-ARP-120	AmphenolIndustrial	24+	DIP	17900	环形MIL规格连接器4CONDUCTORRECPT120AMPS4AWG	询价
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更多GT023N10M供应商更新时间2026-2-3 11:06:00

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