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GT023N10M数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

GT023N10M

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT023N10M

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(min)

    :100V

  • Id at 25℃(max)

    :226A

  • PD(max)

    :500W

  • Vgs(th)typ(V)

    :3.2V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :2.2mΩ

  • Qg(nC)

    :121

  • Ciss

    :8050

  • Crss

    :349

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