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GT011N03D5E数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

GT011N03D5E

功能描述

30V N Channel SGT MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-17 15:17:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT011N03D5E

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :DFN5*6-8L

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :YES

  • Vds(V)

    :30

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :209

  • Pd(W)

    :89

  • Vgs(th)max(V)

    :2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :1.2

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :1.6

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :1.4

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :2

  • Qg(nC)

    :84

  • Qgs(nC)

    :13

  • Qgd(nC)

    :14

  • Ciss(pF)

    :6000

  • Crss(pF)

    :70

  • Technology

    :SGT

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