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GT02	文件：176.03 Kbytes Page：1 Pages	Gate Drive Transformer 文件：176.03 Kbytes 页数：1 Pages	ICE	ICE
TMXGT02	文件：496.53 Kbytes Page：7 Pages	丝印：GT02；SAW Bandpass Filters \| Wireless Communications Features  868.6 MHz center frequency  Ceramic package for Surface Mounted Technology  Low Loss: 2.6 dB typical value within PassBand Width 868 to 870 MHz  Good rejections specially for the LTE band and the UMTS band  Maximum pulse power: 27 dBm Applications  Remote control - RF  W 文件：496.53 Kbytes 页数：7 Pages	RAKON	RAKON
GT020N04D5A	文件：923.84 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT020N04A；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT020N04D5A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：923.84 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT020N10TL	文件：1.04406 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT020N10；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT020N10TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.04406 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT020N10TLA	文件：1.07831 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT020N10；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT020N10TLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.07831 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10M	文件：950.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：950.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10Q	文件：924.7 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-247；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：924.7 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10T	文件：886.98 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：886.98 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10TA	文件：944 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：944 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10TA	文件：944 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：944 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-263
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
140
Pd(W)：
85
Vgs(th)max(V)：
2.4
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
1.9
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
2.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
2.4
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
3
Qg(nC)：
57
Qgs(nC)：
9
Qgd(nC)：
15
Ciss(pF)：
3235
Crss(pF)：
46
Technology：
SGT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	GT023453	NS	24+	PLCC	50	新	询价
深圳诚思涵科技有限公司	GT0230SWU	Vek-onlin	16+	SOT-523	45000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
深圳市联世界科技有限公司	GT028026B	N/A	24+/25+		448	原装正品现货库存价优	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	GT0230S	SANYO	23+	T-8	5000	原装正品,假一罚十	询价
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