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GT02	文件：176.03 Kbytes Page：1 Pages	Gate Drive Transformer	ICE ice Components, Ins.
GT02	文件：300 bytes Page：1 Pages	GT02一按键开关—4mm行程	Unionwell 优力纬尔	Unionwell
GT020N04D5A	文件：923.84 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT020N04A；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT020N04D5Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT020N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Power MOSFETs find widespread use across various applications due to their low ON resistance, making them particularly appealing. By minimizing power dissipation, they contribute to cost reduction, smaller form factors, and less cooling requirements, resulting in significant enhancements for electro;	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT020N10TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Power MOSFETs find widespread use across various applications due to their low ON resistance, making them particularly appealing. By minimizing power dissipation, they contribute to cost reduction, smaller form factors, and less cooling requirements, resulting in significant enhancements for electro;	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT020N10TL	文件：1.04406 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT020N10；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT020N10TLusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT020N10TLA	文件：1.07831 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT020N10；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT020N10TLAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10M	文件：950.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT023N10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10Q	文件：924.7 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-247；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT023N10Qusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10T	文件：886.98 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT023N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT023N10Tusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
100V
Id at 25℃(max)：
226A
PD(max)：
500W
Vgs(th)typ(V)：
3.2V
RDS(on)(typ)(@10V)：
2.2mΩ
Qg(nC)：
121
Ciss：
8050
Crss：
349

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	GT023453	NS	24+	PLCC	50	新	询价
深圳诚思涵科技有限公司	GT0230SWU	Vek-onlin	16+	SOT-523	45000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
深圳市联世界科技有限公司	GT028026B	N/A	24+/25+		448	原装正品现货库存价优	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	GT0230S	SANYO	23+	T-8	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	GT02-110-010	ICE	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	GT0230S	XX	25+23+	SOT23	77938	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	GT02-110-019	ICE	21+	SMD	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	GT0230S	XX	23+	SOT23	999999	原装正品现货量大可订货	询价
深圳市近平电子有限公司	GT0210		10+	SOP-8	6000	绝对原装自己现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	GT0230AW	Vek-onlin	20+	SOT-323	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多GT02供应商更新时间2025-8-1 16:01:00

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