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GT019N04D5 | 丝印：GT019N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT019N04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：959.26 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
GT019N04D5 | 40V N Channel SGT MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
丝印：GT019N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT019N04D5A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.1775 Mbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
IGBT模块 | SILVERMICRO/银茂微 上传：深圳市芯纬度科技有限公司 | SILVERMICRO/银茂微 | ||
IGBT模块 | SILVERMICRO/银茂微 上传：深圳市芯纬度科技有限公司 | SILVERMICRO/银茂微 |
技术参数
- Configuration：
N channel
- ESD：
NO
- VDS(min)：
40V
- Id at 25℃(max)：
120A
- PD(max)：
120W
- Vgs(th)typ(V)：
1.5V
- RDS(on)(typ)(@10V)：
2mΩ
- RDS(on)(typ)(@4.5V)：
3mΩ
- Qg(nC)：
95
- Ciss：
2840
- Crss：
524
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Mitsubishi/三菱电机 |
25+ |
DIP |
11629 |
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ST/意法 |
23+ |
6500 |
19 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
24+ |
SOP-8 |
2000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | |||
ICE |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
ICE原现 |
24+ |
SMD |
9600 |
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询价 | ||
ICE |
1209+ |
SMD |
2000 |
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ICE |
23+ |
SMD |
8560 |
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ICE |
17+ |
SMD |
303 |
原装现货 |
询价 | ||
ICE |
24+ |
SMD |
60000 |
询价 |
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