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GT019N04D5A	文件：1.1775 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT019N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT019N04D5A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.1775 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT019N04D5	文件：959.26 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT019N04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：959.26 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150HF120T1NH-SF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT-2220	文件：0 bytes Page：0 Pages	电源滤波器	TOKIN 上传：揭阳普宁铝壳电阻	TOKIN

更多GT019N04D5A供应商更新时间2026-1-30 13:33:00