100V enhancement mode GaN transistor

Features • 100V enhancement mode power switch • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 15 mΩ • IDS(max) = 45 A • Ultra-low FOM Island Technology® die • Low inductance GaNPX® package • Easy gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very hi

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GAN

100V enhancement mode GaN transistor

Features • 100V enhancement mode power switch • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 15 mΩ • IDS(max) = 45 A • Ultra-low FOM Island Technology® die • Low inductance GaNPX® package • Easy gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very hi

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GAN

100V enhancement mode GaN transistor

Features • 100V enhancement mode power switch • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 15 mΩ • IDS(max) = 45 A • Ultra-low FOM Island Technology® die • Low inductance GaNPX® package • Easy gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very hi

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GAN

100V增强型氮化镓晶体管

GS61004B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61004B是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。 • 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片\n• 低电感GaN PX®封装\n• 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）\n• 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）\n• 非常高的开关频率（f> 100 MHz)\n• 快速和可控的下降和上升时间\n• 反向电流能力\n• 零反向恢复损耗\n• 小尺寸4.6 x 4.4 mm2占板面积\n• 符合RoHS 6标准;

GaN Systems

100 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管的迷你卷轴选项，可实现极致效率和可靠性

GS61004B-MR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、低损耗和高开关频率。GS61004B-MR 是采用 GaNPX ®封装的底部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于 DCDC 转换器、电机驱动器、可再生能源系统和 D 类音频放大器等高功率应用。 • E 模式 HEMT – 常关\n• 无反向恢复电荷\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）\n• 零反向恢复损耗\n• 符合 RoHS 3(6+4) 要求;

Infineon

英飞凌

CoolGaN ™晶体管 100 V ≤ G2，可实现极致效率和可靠性

GS61004B-TR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN 的特性允许高电流、低损耗和高开关频率。GS61004B-TR 是采用 GaNPX ®封装的底部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于 DCDC 转换器、电机驱动器、可再生能源系统和 D 类音频放大器等高功率应用。 • E 模式 HEMT – 常关\n• 无反向恢复电荷\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）\n• 零反向恢复损耗\n• 符合 RoHS 3(6+4) 要求;

Infineon

英飞凌