100V enhancement mode GaN transistor

Features • 100V enhancement mode power switch • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 15 mΩ • IDS(max) = 45 A • Ultra-low FOM Island Technology® die • Low inductance GaNPX® package • Easy gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very hi

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GAN

CoolGaN ™晶体管 100 V ≤ G2，可实现极致效率和可靠性

GS61004B-TR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN 的特性允许高电流、低损耗和高开关频率。GS61004B-TR 是采用 GaNPX ®封装的底部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于 DCDC 转换器、电机驱动器、可再生能源系统和 D 类音频放大器等高功率应用。 • E 模式 HEMT – 常关\n• 无反向恢复电荷\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）\n• 零反向恢复损耗\n• 符合 RoHS 3(6+4) 要求;

Infineon

英飞凌

GaAs PIN DIODES

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MICROSEMI

美高森美

SI-61004-F

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BEL

Low Profile International Series Power Transformer

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RHOMBUS-IND