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GS61004B中文资料100V增强型氮化镓晶体管数据手册GaN Systems规格书

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厂商型号

GS61004B

功能描述

100V增强型氮化镓晶体管

制造商

GaN Systems

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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GS61004B规格书详情

描述 Description

GS61004B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61004B是一款底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

特性 Features

• 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
• 低电感GaN PX®封装
• 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
• 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
• 非常高的开关频率(f> 100 MHz)
• 快速和可控的下降和上升时间
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 小尺寸4.6 x 4.4 mm2占板面积
• 符合RoHS 6标准

应用 Application

• 高效率的功率转换
• 高功率密度的功率转换
• 企业和网络电源
• ZVS移相全桥
• 半桥拓扑
• 同步降压或升压

技术参数

  • 制造商编号

    :GS61004B

  • 生产厂家

    :GaN Systems

  • IDS

    :45 A

  • RDS(on)

    :15 mΩ

  • QG

    :6.2 nC

  • 尺寸(MM)

    :4.6 x 4.4 x 0.51

  • 散热

    :底部

  • MR数量

    :250

  • TR数量

    :3000

  • MR尺寸

    :12 mm x 7″

  • TR尺寸

    :12 mm x 13″

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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