GPTP2165资料使用说明书库存现货瑞萨GPSEMI-114ic电子网

首页 >GPTP2165>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
GPTP2165	文件：121.37 Kbytes Page：2 Pages	PHASE CONTROLLED SCR 文件：121.37 Kbytes 页数：2 Pages	GPSEMI	GPSEMI
GPTP2165	文件：300 bytes Page：1 Pages	SCR	GPSemi	GPSemi
GPTP2165_17	文件：487.54 Kbytes Page：2 Pages	PHASE CONTROLLED SCR 文件：487.54 Kbytes 页数：2 Pages	GPSEMI	GPSEMI
HAT2165H	文件：80.35 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 7 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.5 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：80.35 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2165H	文件：89.36 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.36 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2165H-E	文件：108.76 Kbytes Page：10 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：108.76 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多GPTP2165供应商更新时间2025-10-11 13:31:00