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IRC830	文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages	Dynamicdv/dfRating	IRF International Rectifier	IRF
IRC830PBF	文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages	Dynamicdv/dfRating	IRF International Rectifier	IRF
IRF830	文件：92.72 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-1.35ohm-4.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=1.35Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■1	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF830	文件：58.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES •Repe	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF830	文件：282.47 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE PowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancementMode •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds •LowRDS(on)toMinimizeOn−Losses,SpecifiedatElevated Temperature •Rugged—SOAisPowerDissipationLimited •Source−to−DrainDiodeCharacterizedforUsewithInductiveLoads	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
IRF830	文件：56.15 Kbytes Page：7 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF830	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF830	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF830	文件：135.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830	文件：225.25 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC

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详细参数

型号：
GL830-MSGXX
制造商：
GENESYS
制造商全称：
GENESYS
功能描述：
USB 2.0 to SATA Bridge Controller

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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