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IRF830规格书详情
Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement Mode
• Silicon Gate for Fast Switching Speeds
• Low RDS(on) to Minimize On−Losses, Specified at Elevated
Temperature
• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited
• Source−to−Drain Diode Characterized for Use with Inductive Loads
产品属性
- 型号：
IRF830
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
18+ |
TO-220 |
300 |
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询价 | ||
IR |
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