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厂商型号

IRF830

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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282.47 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

TRSYS Transys Electronics

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更新时间

2025-12-9 12:10:00

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IRF830规格书详情

Power Field Effect Transistor

N−Channel Enhancement Mode

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds

• Low RDS(on) to Minimize On−Losses, Specified at Elevated

Temperature

• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

• Source−to−Drain Diode Characterized for Use with Inductive Loads

产品属性

  • 型号:

    IRF830

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
2023+
21000
进口原装现货
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FSC/IR
2023+
TO-220
5800
进口原装,现货热卖
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2023+
TO-220
50000
原装现货
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