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IRF830规格书详情
Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement Mode
• Silicon Gate for Fast Switching Speeds
• Low RDS(on) to Minimize On−Losses, Specified at Elevated
Temperature
• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited
• Source−to−Drain Diode Characterized for Use with Inductive Loads
产品属性
- 型号：
IRF830
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
286 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
TO220 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
ZIP |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IRF |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
24+ |
TO-220 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
VISHAY |
18+ |
TO-220 |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
9960 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 |
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