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IRF823规格书详情
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS
产品属性
- 型号：
IRF823
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
64772 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
HARRIS/哈里斯 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
DIP |
1200 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
HARRIS |
23+ |
DIP |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
DIP |
5350 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
HARRIS |
23+ |
65480 |
询价 |
