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IRF823规格书详情
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS
产品属性
- 型号：
IRF823
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS/哈里斯 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR/FSC |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
HARRIS |
23+ |
DIP |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
HARRIS |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIP |
30617 |
一级代理全新原装热卖 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
DIP |
5350 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
64772 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
