IRF830中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF830
功能描述	N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
文件大小	92.72 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	STMICROELECTRONICS
中文名称	意法半导体
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更新时间	2025-12-9 23:01:00
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IRF830规格书详情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on)= 1.35Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

产品属性

型号：
IRF830
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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