IRF830中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF830
功能描述	PowerMOS transistor Avalanche energy rated
文件大小	58.83 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	Philips Semiconductors
企业简称	PHI【飞利浦】
中文名称	荷兰皇家飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-7-4 13:40:00
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IRF830规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications.

FEATURES

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast switching

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

产品属性

型号：
IRF830
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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