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GC180N65D8	文件：816.65 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GC180N65；Package：DFN8/8-4L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC180N65D8 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：816.65 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC180N65D8	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC20AST	文件：0 bytes Page：0 Pages	GC/格科微 CSP	GC/格科微上传：深圳市中联芯电子有限公司	GC/格科微
GC2262D	文件：0 bytes Page：0 Pages	富满 DIP18	富满上传：深圳市盛泰捷科电子有限公司	富满
GC331AD72E333KX01D	文件：0 bytes Page：0 Pages	MURATA/村田 SMD	MURATA/村田上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	MURATA/村田

技术参数

Configuration：
N channel
VDS：
650V
Id at 25℃(max)：
20A
PD(max)：
151W
Vgs(th)typ(V)：
3.0V
RDS(on)(typ)(@10V)：
156mΩ
Qg(nC)：
42
Ciss：
1700
Crss：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GC180N65D8供应商更新时间2025-10-7 11:06:00

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