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GC180N65D8中文资料Multi-epi SJ mos数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

GC180N65D8

功能描述

Multi-epi SJ mos

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GC180N65D8

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • VDS

    :650V

  • Id at 25℃(max)

    :20A

  • PD(max)

    :151W

  • Vgs(th)typ(V)

    :3.0V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :156mΩ

  • Qg(nC)

    :42

  • Ciss

    :1700

  • Crss

    :2

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