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GC11N65F	文件：783.72 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GC11N65；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：783.72 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65K	文件：742.8 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：742.8 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65M	文件：1.01237 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.01237 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N65MA	文件：1.28811 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N65MA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.28811 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-220F
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
650
Vgs(V)：
±30
Id(A)：
11
Pd(W)：
38.5
Vgs(th)max(V)：
4
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
300
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
360
Qg(nC)：
21
Qgs(nC)：
4.5
Qgd(nC)：
7
Ciss(pF)：
901
Crss(pF)：
5.5
Technology：
SUPER JUNCTION

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