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GAL22V10D-10LJN	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	Product Change Notifications (PCNs) have been issued to discontinue all devices in this data sheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL22V10D-10LJN	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-LCC（J 形引线）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 10MC 10NS 28PLCC	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL22V10D-10LJNI	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL 22V10 Device Datasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL22V10D-10LJNI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-LCC（J 形引线）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 10MC 10NS 28PLCC	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL22V10D-10LJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL22V10D-10LJ	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL22V10D-10LJI	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL22V10DeviceDatasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL22V10D-10LJI	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体

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产品属性

产品编号：
GAL22V10D-10LJN
制造商：
Lattice Semiconductor Corporation
类别：
集成电路（IC） > CPLD（复杂可编程逻辑器件）
系列：
GAL®22V10
包装：
管件
可编程类型：
EE PLD
供电电压 - 内部：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 75°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-LCC（J 形引线）
供应商器件封装：
28-PLCC（11.51x11.51）
描述：
IC CPLD 10MC 10NS 28PLCC

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