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GAL22V10D-25QP	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description The GAL22V10, at 4ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest performance available of any 22V10 device on the market. CMOS circuitry allows the GAL22V10 to consume much les 文件：386.45 Kbytes 页数：29 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL22V10D-25QP	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	Product Change Notifications (PCNs) have been issued to discontinue all devices in this data sheet. Description The GAL22V10, at 4ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest performance available of any 22V10 device on the market. CMOS circuitry allows the GAL22V10 to consume much l 文件：718.73 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL22V10D-25QP	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL 22V10 Device Datasheet Description The GAL22V10, at 4ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest performance available of any 22V10 device on the market. CMOS circuitry allows the GAL22V10 to consume much les 文件：718.73 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL22V10D-25QP	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	All Devices Discontinued 文件：718.73 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
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GAL22V10D-25QPN	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL 22V10 Device Datasheet Description The GAL22V10, at 4ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest performance available of any 22V10 device on the market. CMOS circuitry allows the GAL22V10 to consume much les 文件：718.73 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL22V10D-25QPN	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	Product Change Notifications (PCNs) have been issued to discontinue all devices in this data sheet. Description The GAL22V10, at 4ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest performance available of any 22V10 device on the market. CMOS circuitry allows the GAL22V10 to consume much l 文件：718.73 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
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GAL22V10D-25QP	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC CPLD 10MC 25NS 24DIP	Lattice 莱迪思	Lattice

产品属性

产品编号：
GAL22V10D-25QP
制造商：
Lattice Semiconductor Corporation
类别：
集成电路（IC） > CPLD（复杂可编程逻辑器件）
系列：
GAL®22V10
包装：
散装
可编程类型：
EE PLD
供电电压 - 内部：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 75°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
24-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
24-PDIP
描述：
IC CPLD 10MC 25NS 24DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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