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GAL22V10D-25LS	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	Product Change Notifications (PCNs) have been issued to discontinue all devices in this data sheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10D-25LS	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL 22V10 Device Datasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10D-25LS	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	All Devices Discontinued	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
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GAL22V10D-25QJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
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GAL22V10D-25QJ	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10D-25QJ	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL22V10DeviceDatasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
GAL22V10D-25QJN	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice

详细参数

型号：
GAL22V10D-25LS
功能描述：
SPLD - 简单可编程逻辑器件 HI PERF E2CMOS PLD
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
逻辑系列：
TICPAL22V10Z
大电池数量：
10
最大工作频率：
66 MHz
延迟时间：
25 ns
工作电源电压：
4.75 V to 5.25 V
电源电流：
100 uA
最大工作温度：
+ 75 C
最小工作温度：
0 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
DIP-24

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