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ME60N06G	文件：990.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTB60N06	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTS HDTMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB60N06HD	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTS HDTMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB60N06HD	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTM60N06	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：95.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：192.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TheseTMOSPowerFETsaredesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP60N06	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP60N06	文件：295.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP60N06HD	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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现代芯城（深圳）科技有限公司	G60N06T		24+	N/A	58000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	G60N090D	IR	22+	NA	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	G60N100	原厂	23+	TO-3PL	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	G60N100	CHN	23+	TO-3PL	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	G60N100	Freescale(飞思卡尔)	2022+		60000	原厂原装,假一罚十	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	G60N100	仙童FAIRCHILD	22+	TO-3P	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价

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