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|---|---|---|---|---|
G60N06T | 丝印：G60N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G60N06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：974.03 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
G60N06T | 60V N Channel TRENCH MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
N-channel 60V, 60A, TO-220 PowerMOSFET 文件：208.6 Kbytes 页数：2 Pages | GSME 桂微 | GSME | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • 60A, 60V(See Note), RDS(on) 文件：762.74 Kbytes 页数：6 Pages | Huashan 华汕电子器件 | Huashan | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：847.29 Kbytes 页数：6 Pages | HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司 | HUILIDA |
技术参数
- Package：
TO-220
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
60
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
55
- Pd(W)：
60
- Vgs(th)max(V)：
2
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
13
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
15
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
17
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
21
- Qg(nC)：
39
- Qgs(nC)：
7
- Qgd(nC)：
8.5
- Ciss(pF)：
2333
- Crss(pF)：
104
- Technology：
TRENCH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR |
22+ |
NA |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA |
7000 |
询价 | |||
G |
24+ |
TO |
500 |
询价 | |||
原厂 |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
CHN |
23+ |
TO-3PL |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
2022+ |
60000 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
CHN |
24+ |
NA/ |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
2025+ |
TO-3P |
4325 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
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