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PHB60N06LT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多G60N06T供应商 更新时间2025-7-14 11:06:00