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IRG4BH20K-L

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRG4BH20K-LPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(VCES=1200V,VCE(on)typ.=3.17V,@VGE=15V.Ic=5.0A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRG4BH20K-LPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRG4BH20K-S

TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRG4BH20K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRG4BH20K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRG4BH20K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRFInternational Rectifier

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更多G4BH20K-S供应商 更新时间2024-4-30 11:36:00