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UPG2015TB-E3	文件：217.01 Kbytes Page：13 Pages	Marking：G3J；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.25dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=1.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPG2015TB-E3

文件：217.01 Kbytes

Page：13 Pages

Marking：G3J；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.25dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=1.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
G3J
制造商：
GULFSEMI
制造商全称：
Gulf Semiconductor
功能描述：
SINTERED GLASS JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE

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